AIXTRON liefert G10-AsP für die nächste Generation von Photoniklösungen an Nokia

AIXTRON liefert G10-AsP für die nächste Generation von Photoniklösungen an Nokia

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EQS-Media / 01.04.2025 / 07:30 CET/CEST

Herzogenrath, 1. April 2025 - AIXTRON SE (FSE: AIXA) liefert seine

G10-AsP-Anlage an Nokia. Mit der G10-AsP kann Nokia 6-Zoll-Wafer mit

Indiumphosphid (InP) herstellen, was einen bedeutenden Meilenstein in der

Entwicklung von Photonic Integrated Circuits (PICs) darstellt.

Photonisch integrierte Schaltkreise (engl. Photonic Integrated Circuits,

kurz PICs) sind für die heutigen Megatrends wie

Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation, 5G, Sensorik und KI unerlässlich.

Der globale Markt für PICs wird in den nächsten Jahren erwartungsgemäß

erheblich wachsen: Der Markt, der im Jahr 2023 auf rund 12 Mrd. USD

geschätzt wurde, wird bis 2031 voraussichtlich 41 Mrd. USD erreichen, wa

einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von etwa 16 %

entspricht.

[1]

Seit der Einführung der ersten großformatigen integrierten photonischen

Schaltkreise ist Nokia mit seiner PIC-basierten kohärenten optischen

Technologie branchenführend und liefert kontinuierlich bessere Lösungen.

Durch die Nutzung von leistungsstarkem Indiumphosphid (InP) integrieren die

PICs von Nokia eine Vielzahl optischer Funktionen auf einem einzigen Chip,

wodurch Kosten, Platzbedarf und Stromverbrauch reduziert werden, während

Leistung und Zuverlässigkeit verbessert werden.

AIXTRONs G10-AsP-Anlage zeichnet sich durch ein präzises und gleichmäßige

Prozessverhalten aus, die PICs im Gegensatz zu herkömmlichen Transceivern

benötigen. Dies konnte insbesondere auf 6-Zoll-InP-Wafern gezeigt werden.

Dank eines innovativen Injektordesigns und einer fortschrittlichen

Temperaturregelung bietet die Anlage eine bis zu viermal bessere

Gleichmäßigkeit auf dem Wafer für kritische Schichten im Vergleich zur

vorherigen Anlagengeneration. In Kombination mit dem In-Situ-Cleaning können

diese neuen Homogenitätsniveaus konsistent reproduziert werden, ohne da

ein regelmäßiger Austausch der Hardware oder eine Kalibrierung zwischen den

verschiedenen Wachstumsschritten der komplexen Schaltungen erforderlich

sind. Die automatisierte Waferbeladung durch das Cassette-to-Cassette (C2C)

Wafer Handling gewährleistet eine besonders effiziente Bedienung der

MOCVD-Anlage.

"Wir freuen uns, mit unserer G10-AsP-Anlage Nokias kontinuierliche

Innovationen im PIC-Bereich zu unterstützen. Die Möglichkeit,

6-Zoll-InP-Wafer zu produzieren, wird die Produktions- und

Technologiekapazitäten von Nokia deutlich verbessern und die Einführung

optischer Technologien der nächsten Generation vorantreiben", sagte Dr.

Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender und CEO der AIXTRON SE.

Steve Stockman, Leiter von Nokias InP-basierter PIC-Produktion, fügte hinzu:

"Der Erwerb von AIXTRONs hochmoderner G10-AsP ist eine strategische

Investition in unsere Produktionskapazitäten. Mit dieser fortschrittlichen

Technologie können wir die wachsende Nachfrage nach hochleistungsfähigen

photonisch integrierten Schaltkreisen bedienen und unsere Führungsposition

in der Branche ausbauen."

Der Übergang zu 6-Zoll-InP-Wafern stellt einen bedeutenden Fortschritt für

die Branche der photonischen integrierten Schaltkreise dar. Größere

Waferdurchmesser ermöglichen höhere Produktionsvolumina und geringere

Stückkosten bei gleichzeitigem Zugang zu modernster Fertigungstechnologie.

Diese Entwicklung ist besonders wichtig für stark nachgefragte Sektoren wie

Telekommunikation, die Automobilindustrie und Rechenzentren, in denen die

Datenübertragung mit hohen Frequenzen und hoher Bandbreite entscheidend ist.

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communication

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von

Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983

gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie

Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die

Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten

Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für

elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von

Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese

Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien

und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und

Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und

-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere

anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic

Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),

EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),

PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im

Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die

Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe

wie „können“, „werden“, „erwarten“, „rechnen mit“, „erwägen“,

„beabsichtigen“, „planen“, „glauben“, „fortdauern“ und „schätzen“,

Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese

zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die

gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON

Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiche

liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und

Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die

zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder

Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen

zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, da

Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,

Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen

abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage

genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum

Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang

der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der

endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima

und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen

Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,

Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,

Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und

Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine

Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,

Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,

Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen

bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung

der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die

AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt

Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene

zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und

Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung

verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur

Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer

Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine

ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei

Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der

englischen Übersetzung vor.

[1]

Laut eines Berichts von Market and Data.

Ende der Pressemitteilung

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE

Schlagwort(e): Unternehmen

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