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EQS-Media / 16.07.2024 / 07:30 CET/CEST

Herzogenrath, 16. Juli 2024 - AIXTRON (FSE: AIXA) unterstützt Nexperia beim

Ausbau seiner 200mm-Volumenproduktion für Siliziumkarbid (SiC) und

Galliumnitrid (GaN) Leistungsbauelemente. Der Halbleiterkonzern hat sich für

einen Folgeauftrag für AIXTRONs G10-SiC entschieden, ergänzt durch eine

weitere Bestellung für AIXTRONs G10-GaN-Anlagengeneration.

Mit den Anlagen von AIXTRON werden sowohl GaN- als auch

SiC-Epitaxie-Schichten für die Entwicklung energieeffizienter Feldeffekt-

(FET) oder Metall-Oxid-Feldeffekt-Transistoren (MOSFET) der nächsten

Generation hergestellt. Sie kommen in verschiedenen

Energieumwandlungsanwendungen - etwa in Rechenzentren, Solarwechselrichtern,

Elektrofahrzeugen oder Zügen - zum Einsatz.

Nexperia verfügt über jahrzehntelange Erfahrung in der Entwicklung von

Leistungsbauelementen und erzielte im Jahr 2023 einen Umsatz von mehr al

2,1 Milliarden USD. Das Unternehmen hat im Jahr 2019 seinen ersten GaN-FET

auf den Markt gebracht, gefolgt im Jahr 2023 vom ersten SiC-MOSFET. Nexperia

erweitert sein Portfolio kontinuierlich um neue hochzuverlässige und

energieeffiziente Bauelemente.

Der global erfolgreiche Halbleiterkonzern hat seinen Hauptsitz im

niederländischen Nijmegen und betreibt Fabriken in Hamburg und im Großraum

Manchester (England). Die AIXTRON-Epitaxie-Anlagen werden in der

Nexperia-Wafer Fab in Hamburg installiert und stärken die

Halbleiter-Produktionskapazitäten in der Region weiter. Das Unternehmen

produziert dort jährlich rund 100 Milliarden diskrete Halbleiter, was etwa

einem Viertel der weltweiten Produktion dieser Bauelement-Typen entspricht.

"Wir freuen uns sehr, dass sich mit Nexperia ein zentraler Akteur in der

Halbleiterindustrie für unsere Anlagen entschieden hat. Mit unseren

G10-Epitaxie-Lösungen kann Nexperia die eigene Wachstumsstrategie mit der

Großserienproduktion von Wide-Bandgap-Halbleitern für kommerzielle

Anwendungen umsetzen. Gemeinsam geben wir dabei den Takt für den Übergang

der Industrie zu energieeffizienteren SiC- und GaN-Lösungen vor", sagte Dr.

Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

"Unsere strategische Partnerschaft mit AIXTRON ist für uns von großer

Bedeutung, da wir unsere technologischen Fähigkeiten und unsere Marktpräsenz

im Bereich der Hochleistungs-Halbleiterproduktion weiter ausbauen. Die

Integration der G10-Anlagen wird unsere Entwicklungs- und

Produktionskapazitäten für die Wide-Bandgap-Technologie deutlich verbessern.

Wir bauen auf AIXTRONs bewährte Homogenität und nutzen die zusätzlichen

Produktivitätsgewinne von AIXTRONs G10-Anlagen, um unsere Produktion

effizient und kostengünstig zu steigern. Mit den neuen G10-Anlagen in

unserer Hamburger Fab können wir unsere Produktionskapazitäten weiter

ausbauen", sagte Achim Kempe, COO bei Nexperia B.V.

Ansprechpartner

Medien

Ragah Dorenkamp

Director Corporate Communication

fon +49 (2407) 9030-1830

e-mail r.dorenkamp@aixtron.com

Investoren

Christian Ludwig

Vice President Investor Relation

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von

Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983

gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie

Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die

Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten

Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für

elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von

Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese

Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien

und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und

Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und

-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere

anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic

Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),

EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),

PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im

Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die

Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe

wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",

"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",

Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese

zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die

gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON

Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiche

liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und

Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die

zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder

Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen

zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, da

Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,

Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen

abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage

genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum

Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang

der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der

endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima

und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen

Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,

Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,

Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und

Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine

Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,

Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,

Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen

bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung

der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die

AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt

Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene

zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und

Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung

verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur

Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer

Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine

ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei

Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der

englischen Übersetzung vor.

Ende der Pressemitteilung

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE

Schlagwort(e): Unternehmen

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